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procédé par clivage [1 fiche]

Fiche 1 1994-06-17

Anglais

Subject field(s)
  • Photoelectricity and Electron Optics
  • Solar Energy
CONT

Very promising early results have been obtained with the so-called CLEFT process, in which a thin semiconductor film is grown on and then cleaved from a substrate. CLEFT is an acronym for cleavage of lateral epitaxial films for transfer. The method can be used with silicon, gallium arsenide, and probably other semiconductors.

Français

Domaine(s)
  • Photo-électricité et optique électronique
  • Énergie solaire
CONT

Cellule solaire en couche mince - Procédé par clivage. On détache la couche active d'arséniure de gallium de son support qui peut être utilisé à nouveau [...] On pratique des ouvertures dans une résine photosensible déposée sur toute la surface puis carbonisée. Elle sert de masque à la croissance cristalline. Celle-ci se développe d'abord uniquement par ces ouvertures, puis s'étend latéralement sur toute la surface de la résine. [...] On colle l'ensemble côté croissance cristalline, sur un support en verre. On sépare aisément les deux parties: croissance et substrat, par clivage (Cleft Process).

Espagnol

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